英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET 凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位 (ANPC)、维也纳整流器和飞跨电容 (FCC) 等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容 (Coss)，使其在循环变流器、CLLC、双有源桥 (DAB) 和 LLC 等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。

第二代 CoolSiC™ MOSFET 750V 完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括：车载充电机、DC-DC 变换器、DC-AC 逆变器，以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的 Q-DPAK 封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性，同时确保约 20W 的功率耗散能力。

产品型号：

• AIMDQ75R016M2H
• AIMDQ75R025M2H
• AIMDQ75R060M2H
• IMDQ75R004M2H
• IMDQ75R007M2H
• IMDQ75R016M2H
• IMDQ75R025M2H
• IMDQ75R060M2H

产品特点

• 100% 雪崩测试验证
• 业界领先的RDS (on) × Qfr
• 优异的RDS (on) × Qoss和RDS (on) × QG 表现
• 低 Crss/Ciss 和高 VGS (th)
• 采用 .XT 扩散焊
• 配备驱动源极引脚

应用价值

• 鲁棒性和可靠性提升
• 硬开关效率卓越
• 开关频率更高
• 抗寄生导通能力出色
• 行业领先的散热性能
• 开关损耗显著降低

竞争优势

• 通过 100% 雪崩测试，专为汽车与工业应用设计
• 扩展负栅极驱动电压范围 (-7V 至 -11V)
• 增强型热性能 (高达 200℃)
• FOM 较上一代产品提升20-35%
• 高 VGS (th) + low Crss/Ciss = 0V 零伏可靠关断
• 增强型热性能 (高达 200℃)

应用领域

1、工业应用场景：

固态继电器与隔离器

• 固态断路器
• 电动汽车充电
• 光伏
• 不间断电源系统 UPS
• 储能系统 ESS
• 电池化成
• 电信基础设施 AC-DC 电源转换
• 服务器电源单元 PSU

 2、汽车电子应用：

• 高低压 DC-DC 变换器
• 车载充电 OBC
• 断路器
  • 高压电池开关
  • 交直流低频开关
  • 高压电子熔断器

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