英飞凌适合 CoolSiC™ MOSFET 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC
EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介
英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列可通过隔离式栅极输出轻松控制，推荐使用基于英飞凌核心平衡技术的 EiceDRIVER™ 电隔离栅极驱动器 IC。EiceDRIVER™ 栅极驱动器具备了驱动碳化硅 MOSFET 所需的重要功能和参数，包括出色的传播延迟匹配、精准的输入滤波器、宽范围的输出侧电源、负栅极电压驱动能力、强共模瞬态抑制能力、有源米勒钳位、DESAT 保护功能等。
英飞凌提供 500 多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器解决方案。本文将介绍适合碳化硅 MOSFET 的产品，在实操中也可以根据应用选择 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，如隔离或开关器件。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 特性
- 有源米勒钳位
- 短路钳位，主动关断
- 精确的退饱和 (DESAT) 保护
- 适用于在高环境温度下工作
- 12V / 11V 典型的 UVLO 阈值
- 可选的 8 毫米爬电距离的宽体封装
- ≥ 100 kV/μs CMTI (1EDU20I12SV: ≥ 50 kV/μs CMTI )
作为 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，英飞凌提供卓越的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、符合汽车标准的栅极驱动器、200V/500-700V 和 1200V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低侧驱动器。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供了丰富且先进的功能，包括集成自举二极管 (BSD)、过流保护 (OCP)、停机关断、故障报告、使能、输入过滤器、OPAMP 、DESAT保护、可编程的死区时间、直通短路保护、有源米勒钳位、有源关断、独立的拉电流和灌电流输出引脚、短路电流钳位、软关断、两电平关断和电气隔离 (功能/基本/增强隔离) 等等。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品阵容
| 产品 | 型号 | 峰值驱动电流（典型值） | VCC2-VEE2 | UVLO 阈值（典型值） | 传输延迟（典型值） | 米勒钳 |
| 1EDC/1LED微型隔离式高压侧驱动器系列 | 1EDI20I12MF | 3.5A | 20V | 11.9V / 11V | ≦ 300ns | 〇 |
| 1EDC20H12AH | 3.5A | 35V | 12V / 11.1V | ≦ 125ns | × | |
| 1EDC60H12AH | 9.4A | 35V | 12V / 11.1V | ≦ 125ns | × | |
| 1EDC20I12MH | 3.5A | 20V | 11.9V / 11V | ≦ 300ns | 〇 | |
| 1ED-F2内置保护的隔离式高压侧驱动器 | 1ED020I12-F2 | 2.0A | 28V | 12V / 11.1V | ≦ 170ns | 〇 |
| 2ED-F2隔离式双侧驱动器，带内置保护功能 | 2ED020I12-F2 | 2.0A | 28V | 12V / 11.1V | ≦ 170ns | 〇 |
| 1EDU Slew Rate Control (SRC) 隔离式高压侧驱动器 | 1EDU20I12SV | 2.0A | 28V | 11.9V / 11V | ≦ 485ns | 〇 |
EVAL-1EDC20H12AH-SIC 评估板
- 名称：EVAL-1EDC20H12AH-SIC
- 栅极驱动器：1EDC20H12AH
- SiC MOSFET：IMZ120R045M1
- 电路板尺寸：85mm x 55mm x 30mm
欲了解更多信息，请查阅评估板数据手册。
