高耐压1700V CoolSiC™ MOSFET可分立封装!

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Macnica Engineer

高耐压1700V CoolSiC™ MOSFET可分立封装!

1700V CoolSiC™ MOSFET 简介

1700V CoolSiC™ MOSFET 是英飞凌推出的第一个 1700V SiC MOSFET 产品组合,针对三相电源转换系统的控制逻辑、显示器和冷却风扇发电的辅助电源电路。工业领域推行实践这种低功率应用 (单端返驰拓扑结构) ,输入电压目前可实现高达 1000V DC。

1700V 阻断电压消除了设计上针对电压应力容限,以及电源供应器可靠性方面的疑虑。与 1500V Si MOSFET相比,SiC MOSFET 技术的导通电阻和器件容量更低,从而使功率损耗降低了 50% 以上,并支持采用无散热器,自然对流冷却的紧凑 SMD 集成。

1700V CoolSiC™ MOSFET 特征

  • 英飞凌的 CoolSiC™ 沟槽技术,具有卓越的栅极氧化层可靠性
  • 将 SMD 集成到 PCB,使用自然对流冷却方式,不需要额外的散热器
  • 反激式拓扑结构,使用与一般 PWM 控制器兼容的 +12V/0V 闸极源极电压 
  • 由于延长了封装的爬电距离和空间距离,减少了绝缘工作
  • 在 1700V 转换器中具有最低的器件电容和栅极电荷

什么是 CoolSiC™MOSFET 系列?

CoolSiC™ MOSFET 非常适合于硬开关和谐振开关拓扑,以及功率因数校正 (PFC) 电路、双向拓扑、直流/直流转换器和直流/交流逆变器等。 即使桥拓扑的关断电压为 0V 时,出色的抗寄生干扰效应也可在低动态损耗方面树立标杆。 英飞凌 TO 和 SMD 封装产品还包括用于优化开关性能的开尔文 (Kelvin) 源引脚。

图1 CoolSiC™ MOSFET 系列
图1 CoolSiC™ MOSFET 系列

1700V CoolSiC™ MOSFET 规格

 参数  封装
 RDS (on)   TO-263-7
 D²PAK-7
 导通电阻规格  产品型号
 1000mΩ  IMBF170R1K0M1
 650mΩ    IMBF170R650M1
 450mΩ  IMBF170R450M1

补充说明:

封装可选择不同的导通电阻规格,或任一封装。

目标应用

  • 太阳能发电系统解决方案
  • 工业驱动
  • 储能系统
  • 开关电源
  • 电动汽车快速充电
  • 电源管理 (SMPS)

 

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