随着 AI 数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。

为应对这一挑战，英飞推出 EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V 晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓 (GaN) 功率产品组合。该模块基于 Easy Power Module 平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。

EVAL-FS33MR12W1M1HM5 是采用 33mΩ 1200V 碳化硅 MOSFET 模块的三相电机驱动电路板。开发该评估板的目的是为了在客户使用 Easy1B 封装的 CoolSiC™ MOSFET 模块 (如 FS33MR12W1M1H_B11) 设计应用的第一步中提供支持。驱动采用 EiceDRIVER™ 1200V 隔离栅极驱动器 1EDI20H12AH。

英飞凌推出基于 Arm® Cortex®-M33 的最新高性能微控制器 (MCU) 系列 PSOC™ Control。在 ModusToolbox™ 系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。PSOC™ Control C3 分为入门级和主流级产品，提供了兼具扩展性与兼容性的各种性能、功能和存储选项。电机控制专用 MCU (C3M) 和功率转换专用 MCU (C3P) 可满足重点应用的需求，例如：家用电器、工业驱动器、机器人、轻型电动车 (LEV)、太阳能和 HVAC 系统。

作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓 (GaN) 凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个 300mm 氮化镓 (GaN) 功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业，进一步推动了 GaN 市场快速增长。

目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品 CoolGaN™ G3 和 CoolGaN™ G5 系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能 200mm 晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到 40V 至 700V！

英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列 CoolGaN™ 650V G5 晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓 (GaN) 产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括 USB-C 适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源 (SMPS)、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。

英飞凌与锂电池制造商亿纬锂能股份有限公司 (亿纬锂能) 签署合作备忘录 (MoU)。双方将共同为汽车市场提供综合的电池管理系统解决方案。

根据合作备忘录，英飞凌将提供整套芯片解决方案，包括微控制单元 (MCU)、电池均衡和监测 IC、电源管理 IC、驱动、MOSFET、CAN 和传感器产品。通过采用这些解决方案，亿纬锂能的电池管理系统将拥有高度的安全性、可靠性以及更加优化的成本，而且能够更加准确地监测、保护和优化电动汽车 (EV) 的电池性能，提升用户的驾驶体验和车辆的能效。

高性能 CIPOS™ Maxi 转模封装 IPM IM12BxxxC1 系列基于新型 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 和快速二极管 Emcon 7 技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片，该产品具有卓越的控制能力和性能，这大大降低了损耗，提高了效率，并增加了功率密度。产品组合包括从 10A，15A 和 20A 三种新产品。

该系列集成了 6 个 TRENCHSTOP™ IGBT7，驱动采用经过优化的 1200V，6 通道 SOI 栅极驱动器，提供出色的保护，并优化 PCB 尺寸和系统成本。

该 IPM 是 1200V 等级中最小、最紧凑的封装，额定功率超过 4kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它具有出色的保护功能，例如欠压保护和低压保护，所有通道电压锁定、保护期间所有开关关闭、防止交叉导通、过流保护、温度监控。

英飞凌 EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11 基板采用 Wave 波浪结构，针对开放式液冷散热器应用进行了优化，以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。目前的 EconoDUAL™ 3 Wave 产品组合新增了 1700V 电压等级的 900A 模块。