英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET 凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位 (ANPC)、维也纳整流器和飞跨电容 (FCC) 等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容 (Coss)，使其在循环变流器、CLLC、双有源桥 (DAB) 和 LLC 等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。

第二代 CoolSiC™ MOSFET 750V 完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括：车载充电机、DC-DC 变换器、DC-AC 逆变器，以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的 Q-DPAK 封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性，同时确保约 20W 的功率耗散能力。

英飞凌推出新型 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在 25°C 时 RDS (on) 值为 4 至 60mΩ，广泛适用于车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电动汽车 (xEV) 辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源 (SMPS) 等工业应用。

随着 AI 数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。

为应对这一挑战，英飞推出 EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V 晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓 (GaN) 功率产品组合。该模块基于 Easy Power Module 平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。

EVAL-FS33MR12W1M1HM5 是采用 33mΩ 1200V 碳化硅 MOSFET 模块的三相电机驱动电路板。开发该评估板的目的是为了在客户使用 Easy1B 封装的 CoolSiC™ MOSFET 模块 (如 FS33MR12W1M1H_B11) 设计应用的第一步中提供支持。驱动采用 EiceDRIVER™ 1200V 隔离栅极驱动器 1EDI20H12AH。

英飞凌推出基于 Arm® Cortex®-M33 的最新高性能微控制器 (MCU) 系列 PSOC™ Control。在 ModusToolbox™ 系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。PSOC™ Control C3 分为入门级和主流级产品，提供了兼具扩展性与兼容性的各种性能、功能和存储选项。电机控制专用 MCU (C3M) 和功率转换专用 MCU (C3P) 可满足重点应用的需求，例如：家用电器、工业驱动器、机器人、轻型电动车 (LEV)、太阳能和 HVAC 系统。

作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓 (GaN) 凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个 300mm 氮化镓 (GaN) 功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业，进一步推动了 GaN 市场快速增长。

目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品 CoolGaN™ G3 和 CoolGaN™ G5 系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能 200mm 晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到 40V 至 700V！

英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列 CoolGaN™ 650V G5 晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓 (GaN) 产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括 USB-C 适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源 (SMPS)、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。