英飞凌车载CoolSiC™ MOSFET — AIMW120R045M1
CoolSiC™ MOSFET 简介
英飞凌的车载 CoolSiC™ MOSFET 是一种专为充电和辅助系统中的功率转换而设计的高压半导体。该产品采用110μm超薄晶圆技术，可减少产生的电力损失。独特的1200 V SiC MOSFET 在1200V开关中具有极低的栅极电荷和器件电容水平，内部整流体二极管具备无反向恢复损耗、无关温度的低开关损耗、无关阈值的导通状态等特性，简化了设计导入和应用设计。 此外，如果以较高的开关频率使用转换器，磁性部件的大小和重量可显著减少25%。
AIMW120R045M1 特征
- 采用TO247封装的1200V沟道技术
- 最高工作温度：TjMax=175°C
- 同类最佳的VGS阈值特性，易于控制
- 抗短路和雪崩击穿的稳定性
- 符合AEC-Q101的要求，实现了英飞凌车载碳化硅 (SiC) 的最高质量标准
什么是 CoolSiC™ MOSFET？
英飞凌提供的 SiC MOSFET 被称为 CoolSiC™ MOSFET。 碳化硅 (SiC) 为设计者带来了新的灵活性，以实现前所未有的效率和可靠性。与传统的硅基 (Si) 高耐压开关和IGBT相比，CoolSiC™ 取决于负载条件，降低开关损耗可达80%左右，导电损耗最大可达50%。 逆变器效率超过99%，大大降低了运营成本。特定的碳化硅 (SiC) 特性允许实现相同或更高的开关频率操作。此外，CoolSiC™ MOSFET 设备可通过提高功率来降低系统成本。
AIMW120R045M1 产品规格
| 参数 | 规格 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A |
| 工作温度范围 | -55℃~175℃ |
| 极性 | N |
| RDS(on)(@Tj=25°C) | 45mΩ |
| VDS电压最大值 | 1200V |
| 完全不含铅 | 是 |
| 不含卤素 | 是 |
| 符合RoHS标准 | 是 |
| 包装尺寸 | 240 |
目标应用
- 车载充电器 / PFC级
- 升压 / 直流-直流转换器
- 辅助逆变器
