英飞凌车载CoolSiC™ MOSFET — AIMW120R045M1

文章來源
Macnica Engineer

英飞凌车载CoolSiC™ MOSFET — AIMW120R045M1

CoolSiC™ MOSFET 简介

英飞凌的车载 CoolSiC™ MOSFET 是一种专为充电和辅助系统中的功率转换而设计的高压半导体。该产品采用110μm超薄晶圆技术,可减少产生的电力损失。独特的1200 V SiC MOSFET 在1200V开关中具有极低的栅极电荷和器件电容水平,内部整流体二极管具备无反向恢复损耗、无关温度的低开关损耗、无关阈值的导通状态等特性,简化了设计导入和应用设计。 此外,如果以较高的开关频率使用转换器,磁性部件的大小和重量可显著减少25%。

AIMW120R045M1 特征

  • 采用TO247封装的1200V沟道技术
  • 最高工作温度:TjMax=175°C
  • 同类最佳的VGS阈值特性,易于控制
  • 抗短路和雪崩击穿的稳定性
  • 符合AEC-Q101的要求,实现了英飞凌车载碳化硅 (SiC) 的最高质量标准

什么是 CoolSiC™ MOSFET?

英飞凌提供的 SiC MOSFET 被称为 CoolSiC™ MOSFET。 碳化硅 (SiC) 为设计者带来了新的灵活性,以实现前所未有的效率和可靠性。与传统的硅基 (Si) 高耐压开关和IGBT相比,CoolSiC™ 取决于负载条件,降低开关损耗可达80%左右,导电损耗最大可达50%。 逆变器效率超过99%,大大降低了运营成本。特定的碳化硅 (SiC) 特性允许实现相同或更高的开关频率操作。此外,CoolSiC™ MOSFET 设备可通过提高功率来降低系统成本。

AIMW120R045M1 产品规格

参数 规格
 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  52A
 工作温度范围  -55℃~175℃
 极性  N
 RDS(on)(@Tj=25°C)  45mΩ
 VDS电压最大值  1200V
 完全不含铅  是
 不含卤素  是
 符合RoHS标准  是
 包装尺寸  240

目标应用

  • 车载充电器 / PFC级
  • 升压 / 直流-直流转换器
  • 辅助逆变器

图1 应用拓扑
图1 应用拓扑

 

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